iPhone 6s/6s Plus硬件及性能揭秘(处理器、内存和闪存)……

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此前,Chipworks曾分析了苹果iPhone 6s的APL0898版A9处理器,认为A9很可能是双核CPU、六核GPU以及8MB L3缓存组成,核心面积约为93mm²。现在,他们在对比了iPhone 6s及iPhone 6s Plus手机的处理器后,得到了比较有意思的结果。
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APL0898版(iPhone 6s)A9处理器使用的是三星的14nm FinFET工艺生产,核心面积96mm²。而APL1022版(iPhone6s Plus)A9使用的是TSMC的16nm FinFET工艺生产,核心面积约为104.5mm²,也就是说TSMC版A9核心面积大了9%左右。(按理说三星14nm性能更好)windows2015-9-291002

虽然目前基本可以证实苹果在A9处理器代工上确实选择了三星及TSMC两家,但苹果这种选择的背后实际上也是冒着很大的风险和付出了成本的。毕竟三星、TSMC虽然都上了FinFET工艺,但两家工艺不同,苹果为此要为A9付出2倍的研发成本。

除了处理器的不同,内存方面,苹果公司此次也选择了不同的厂商来共同供货。据最新的拆解信息, iPhone 6s和iPhone 6s Plus都内置了2GB LPDDR4,不过iPhone 6s上的供应商为SK海力士,而iPhone 6s Plus则为三星和美光。值得一提的是,从iPhone 5s开始,苹果开始放弃三星,由海力士和尔必达供应DDR内存。不过2013年,尔必达被美光收购,所以美光也顺理成章成为苹果的供应商。
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闪存方面,Anandtech透过深度发掘手机内的系统文件发现,iPhone 6s所用的是型号为AP0128K的苹果SSD,而2015版MacBook上所用的SSD型号为AP0256H,这两者在命名上很相似。他们还发现,iPhone 6s上的SSD用的不是传统eMMC所用的SDIO接口,而是PCI-E,这个PCI-E也不电脑上的那个,而是基于MIPI M-PHY物理层的PCI-E,使用NVMe接口协议。UFS规范走的也是PCI-E物理层同样是MIPI M-PHY,不过接口协议是SCSI。一般来说,现在大多数智能手机都是使用eMMC规范的闪存存储装置,现在苹果在iPhone 6s系列手机上使用的NVMe则更是电脑上用的最新规范。windows2015-9-291004

从iFixit拆解iPhone 6s和iPhone 6s Plus的照片上来看,闪存只有一颗,也没看到控制器,可以推断这个芯片其实已经整合了控制器以及NAND Flash,Anandtech读出了他们所测的机器上的闪存内部信息,NAND型号是1Y128G-TLC-2P,也就是说使用1Y nm工艺的TLC NAND,容量为128GB。

还有消息显示,新一代iPhone 6s系列闪存的供应商为海力士和东芝,16GB是MLC,而128GB版为TLC。其中MLC速度和寿命都一般,约3000-10000次擦写寿命;TLC速度慢寿命短,价格便宜,约500-1000次擦写寿命。不过果粉们也不必担心,这两种闪存给手机带来的差异化影响几乎是察觉不到的。

最后来看看iPhone 6s的闪存性能测试,感受下NVMe的威力。

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▲连续读取速度是402MB/s,远远抛离上代产品

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▲连续写入速度为164MB/s,比上一代产品翻了一翻。

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▲4K随机读取速度为22.5MB/s,比上代也有大幅提升。

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▲4K随机写入速度为2.2MB/s,也较iPhone 6有很大提升。

 

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